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消息称三星电子目标今年9月率先完成1d nm DRAM内存研发

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消息称三星电子目标今年9月率先完成1d nm DRAM内存研发-第1张图片

　　近日，据业内人士透露 ，三星电子目标2026年9月率先完成1d nm DRAM内存研发，2026年12月进入量产转移阶段，2027年上半年启动生产线建设 ，有望2027年底实现首批量产 。(TheBell)

（文章来源：财联社）

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